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熱誘導化學氣相沉積是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式，無論是單晶，多晶，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層，以及厚度達100微米的單片部件，甚至高達數(shù)毫米。

還原爐是用鉬帶作發(fā)熱元件的真空電阻爐，主要應用于陶瓷、硬質(zhì)合金、復合材料等在真空或保護氣氛中高溫燒結(jié)，也可以供金屬材料在高真空條件下的高溫熱處理或貴金屬材料的除氣處理。

真空擴散焊爐是在真空（或其它氣氛）條件下將材料內(nèi)原子擴散焊成型的成套設備，主要采用鉬帶電阻加熱，擴散焊焊接應用廣泛，可以完成不同種類金屬材料與金屬材料之間的擴散焊接、也可以完成不同種類金屬材料與陶瓷類材料、非金屬類材料之間的擴散焊接。

真空氫氣燒結(jié)多功能一體爐

真空擴散焊爐是在真空（或其它氣氛）條件下將材料內(nèi)原子擴散焊成型的成套設備，主要采用石墨電阻加熱，擴散焊焊接應用廣泛，可以完成不同種類金屬材料與金屬材料之間的擴散焊接、也可以完成不同種類金屬材料與陶瓷類材料、非金屬類材料之間的擴散焊接。